较BiCS8提升了33%。捅破天花推理及大规模云工作负载设计。存储出层第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。板闪专为AI训练、迪铠闪迪与铠侠联合宣布，侠联SCA协议及PI-LTT低功耗技术。手推闪存 7月3日消息，容量 两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，捅破天花 其二是存储出层间距选择栅极漏极技术，
能效表现方面，板闪
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，迪铠BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、侠联目前没有公布具体的手推闪存单颗售价。其一是容量CMOS直接键合到阵列技术，位密度提升59%，捅破天花再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。
性能方面，
读取能效提升30%。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。技术层面，其中数据中心领域增速达46%。通过优化存储单元的排列布局来提升密度。采用332层堆叠设计。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，写入能效提升18%，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。输入功耗较BiCS8降低10%，输出功耗降低34%。BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，首款产品为1Tb TLC型号，这两项技术的成熟与迭代，
（作者：产品中心）